1N8032-GA

ໝາຍເລກພາກສ່ວນຜູ້ຜະລິດ:	1N8032-GA
ຜູ້ຜະລິດ:	GeneSiC Semiconductor
ສ່ວນຫນຶ່ງຂອງຄໍາອະທິບາຍ:	DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257
ເອກະສານຂໍ້ມູນ:	1N8032-GA ເອກະສານຂໍ້ມູນ
Lead Free Status / RoHS ສະຖານະພາບ:	Lead Free / ປະຕິບັດຕາມ RoHS
ສະພາບຫຼັກຊັບ:	ໃນສາງ
ຈັດສົ່ງຈາກ:	Hong Kong
ວິທີການຂົນສົ່ງ:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ຂໍ້ສັງເກດ: GeneSiC Semiconductor 1N8032-GA ແມ່ນມີຢູ່ chipnets.com. ພວກເຮົາຂາຍພຽງແຕ່ New&Original Part ແລະສະເຫນີໃຫ້ມີການຮັບປະກັນ 1 ປີ. ຖ້າທ່ານຕ້ອງການຮູ້ເພີ່ມເຕີມກ່ຽວກັບຜະລິດຕະພັນຫຼືສະຫມັກຂໍເອົາລາຄາທີ່ດີກວ່າ, ກະລຸນາຕິດຕໍ່ພວກເຮົາ ຄລິກທີ່ Chat ອອນໄລນ໌ຫຼືສົ່ງ quote ໃຫ້ພວກເຮົາ.

ອົງປະກອບຂອງອີເລັກໂທຣນິກທັງໝົດຈະຖືກບັນຈຸຢູ່ໃນຄວາມປອດໄພຫຼາຍໂດຍການປ້ອງກັນ ESD antistatic.

package

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

ປະເພດ	ລາຍລະອຽດ
ຊຸດ	Tube
ສະຖານະພາບສ່ວນ	Obsolete
ປະເພດ Diode	Silicon Carbide Schottky
ແຮງດັນໄຟຟ້າ - DC ຍ້ອນກັບ (Vr) (ສູງສຸດ)	650 V
ປະຈຸບັນ - ສະເລ່ຍຂອງ Rectified (Io)	2.5A
ແຮງດັນໄຟຟ້າ - ສົ່ງຕໍ່ (Vf) (ສູງສຸດ) @ ຖ້າ	1.3 V @ 2.5 A
ຄວາມໄວ	No Recovery Time > 500mA (Io)
ເວລາການຊົດເຊີຍຄືນ (trr)	0 ns
ປັດຈຸບັນ - ການຮົ່ວໄຫລດ້ານຫລັງ @ Vr	5 µA @ 650 V
ຄວາມອາດສາມາດ @ Vr, F	274pF @ 1V, 1MHz
ປະເພດ Mounting	Through Hole
ຊຸດ / ກໍລະນີ	TO-257-3
ເຄື່ອງຫຸ້ມຫໍ່ອຸປະກອນຂອງຜູ້ສະ ໜອງ	TO-257
ອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ - ຈຸດ	-55°C ~ 250°C

ການຊື້ທາງເລືອກ

ສະຖານະຫຼັກຊັບ: ຈັດສົ່ງໃນມື້ດຽວກັນ

ຕໍາ່ສຸດທີ່: 1

ປະລິມານ	ລາຄາຕໍ່ຫນ່ວຍ	ຕໍ່. ລາຄາ
ລາຄາບໍ່ສາມາດໃຊ້ໄດ້, ກະລຸນາ RFQ

ການຄິດໄລ່ຄ່າຂົນສົ່ງ

US $40 ໂດຍ FedEx.

ມາຮອດພາຍໃນ 3-5 ມື້

ດ່ວນ: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) ການຂົນສົ່ງຟຣີໃນຄັ້ງທໍາອິດ 0.5kg ສໍາລັບຄໍາສັ່ງຫຼາຍກວ່າ 150$, ນ້ໍາຫນັກເກີນຈະຖືກຄິດຄ່າທໍານຽມແຍກຕ່າງຫາກ

ຮູບແບບທີ່ນິຍົມ

ລາຍການນີ້ໄດ້ຖືກເພີ່ມໃສ່ກະຕ່າຂອງທ່ານ.