BSC120N03LSG

ໝາຍເລກພາກສ່ວນຜູ້ຜະລິດ:	BSC120N03LSG
ຜູ້ຜະລິດ:	Rochester Electronics
ສ່ວນຫນຶ່ງຂອງຄໍາອະທິບາຍ:	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Lead Free Status / RoHS ສະຖານະພາບ:	Lead Free / ປະຕິບັດຕາມ RoHS
ສະພາບຫຼັກຊັບ:	ໃນສາງ
ຈັດສົ່ງຈາກ:	Hong Kong
ວິທີການຂົນສົ່ງ:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ຂໍ້ສັງເກດ: Rochester Electronics BSC120N03LSG ແມ່ນມີຢູ່ chipnets.com. ພວກເຮົາຂາຍພຽງແຕ່ New&Original Part ແລະສະເຫນີໃຫ້ມີການຮັບປະກັນ 1 ປີ. ຖ້າທ່ານຕ້ອງການຮູ້ເພີ່ມເຕີມກ່ຽວກັບຜະລິດຕະພັນຫຼືສະຫມັກຂໍເອົາລາຄາທີ່ດີກວ່າ, ກະລຸນາຕິດຕໍ່ພວກເຮົາ ຄລິກທີ່ Chat ອອນໄລນ໌ຫຼືສົ່ງ quote ໃຫ້ພວກເຮົາ.

ອົງປະກອບຂອງອີເລັກໂທຣນິກທັງໝົດຈະຖືກບັນຈຸຢູ່ໃນຄວາມປອດໄພຫຼາຍໂດຍການປ້ອງກັນ ESD antistatic.

package

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

ປະເພດ	ລາຍລະອຽດ
ຊຸດ	Bulk
ສະຖານະພາບສ່ວນ	Active
ປະເພດ FET	-
ເຕັກໂນໂລຢີ	-
ທໍ່ກັບແຮງດັນແຫຼ່ງ (Vdss)	-
ກະແສໄຟຟ້າ - ກະແສຕໍ່ເນື່ອງ (Id) @ 25 ° C	-
ແຮງດັນໄຟຟ້າ (Rds ສູງສຸດ, Min Rds On)	-
Rds On (ສູງສຸດ) @ Id, Vgs	-
Vgs (ທີ) (ສູງສຸດ) @ Id	-
ຄ່າບໍລິການ Gate (Qg) (ສູງສຸດ) @ Vgs	-
Vgs (ສູງສຸດ)	-
ຄວາມສາມາດໃນການປ້ອນຂໍ້ມູນ (Ciss) (ສູງສຸດ) @ Vds	-
FET Feature	-
ການແຈກຈ່າຍພະລັງງານ (ສູງສຸດ)	-
ອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ	-
ປະເພດ Mounting	-
ເຄື່ອງຫຸ້ມຫໍ່ອຸປະກອນຂອງຜູ້ສະ ໜອງ	-
ຊຸດ / ກໍລະນີ	-

ການຊື້ທາງເລືອກ

ສະຖານະຫຼັກຊັບ: 2100

ຕໍາ່ສຸດທີ່: 1

ປະລິມານ	ລາຄາຕໍ່ຫນ່ວຍ	ຕໍ່. ລາຄາ
ລາຄາບໍ່ສາມາດໃຊ້ໄດ້, ກະລຸນາ RFQ

ການຄິດໄລ່ຄ່າຂົນສົ່ງ

US $40 ໂດຍ FedEx.

ມາຮອດພາຍໃນ 3-5 ມື້

ດ່ວນ: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) ການຂົນສົ່ງຟຣີໃນຄັ້ງທໍາອິດ 0.5kg ສໍາລັບຄໍາສັ່ງຫຼາຍກວ່າ 150$, ນ້ໍາຫນັກເກີນຈະຖືກຄິດຄ່າທໍານຽມແຍກຕ່າງຫາກ

ຮູບແບບທີ່ນິຍົມ

	BSC100N03MSG Rochester Electronics
	BSC146N10LS5ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC196N10NSGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC152N10NSFG Rochester Electronics
	BSC120N03LSG Rochester Electronics
	BSC100N06LS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC105N10LSFGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC152N10NSFGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC123N10LSGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC120N03LSGATMA1 IR (Infineon Technologies)

ລາຍການນີ້ໄດ້ຖືກເພີ່ມໃສ່ກະຕ່າຂອງທ່ານ.