Microsemi / 2N6849
ຮູບພາບແມ່ນສໍາລັບການອ້າງອິງ, ກະລຸນາຕິດຕໍ່ພວກເຮົາເພື່ອໃຫ້ໄດ້ຮູບພາບທີ່ແທ້ຈິງ
2N6849
| ໝາຍເລກພາກສ່ວນຜູ້ຜະລິດ: | 2N6849 |
| ຜູ້ຜະລິດ: | Microsemi |
| ສ່ວນຫນຶ່ງຂອງຄໍາອະທິບາຍ: | MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39 |
| ເອກະສານຂໍ້ມູນ: | 2N6849 ເອກະສານຂໍ້ມູນ |
| Lead Free Status / RoHS ສະຖານະພາບ: | Lead Free / ປະຕິບັດຕາມ RoHS |
| ສະພາບຫຼັກຊັບ: | ໃນສາງ |
| ຈັດສົ່ງຈາກ: | Hong Kong |
| ວິທີການຂົນສົ່ງ: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ຂໍ້ສັງເກດ
- Microsemi 2N6849 ແມ່ນມີຢູ່ chipnets.com. ພວກເຮົາຂາຍພຽງແຕ່ New&Original Part ແລະສະເຫນີໃຫ້ມີການຮັບປະກັນ 1 ປີ. ຖ້າທ່ານຕ້ອງການຮູ້ເພີ່ມເຕີມກ່ຽວກັບຜະລິດຕະພັນຫຼືສະຫມັກຂໍເອົາລາຄາທີ່ດີກວ່າ, ກະລຸນາຕິດຕໍ່ພວກເຮົາ ຄລິກທີ່ Chat ອອນໄລນ໌ຫຼືສົ່ງ quote ໃຫ້ພວກເຮົາ.
ອົງປະກອບຂອງອີເລັກໂທຣນິກທັງໝົດຈະຖືກບັນຈຸຢູ່ໃນຄວາມປອດໄພຫຼາຍໂດຍການປ້ອງກັນ ESD antistatic.
ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ
| ປະເພດ | ລາຍລະອຽດ |
|---|---|
| ຊຸດ | Bulk |
| ສະຖານະພາບສ່ວນ | Obsolete |
| ປະເພດ FET | P-Channel |
| ເຕັກໂນໂລຢີ | MOSFET (Metal Oxide) |
| ທໍ່ກັບແຮງດັນແຫຼ່ງ (Vdss) | 100 V |
| ກະແສໄຟຟ້າ - ກະແສຕໍ່ເນື່ອງ (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Tc) |
| ແຮງດັນໄຟຟ້າ (Rds ສູງສຸດ, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (ສູງສຸດ) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 6.5A, 10V |
| Vgs (ທີ) (ສູງສຸດ) @ Id | 4V @ 250µA |
| ຄ່າບໍລິການ Gate (Qg) (ສູງສຸດ) @ Vgs | 34.8 nC @ 10 V |
| Vgs (ສູງສຸດ) | ±20V |
| ຄວາມສາມາດໃນການປ້ອນຂໍ້ມູນ (Ciss) (ສູງສຸດ) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| ການແຈກຈ່າຍພະລັງງານ (ສູງສຸດ) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| ອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ປະເພດ Mounting | Through Hole |
| ເຄື່ອງຫຸ້ມຫໍ່ອຸປະກອນຂອງຜູ້ສະ ໜອງ | TO-39 |
| ຊຸດ / ກໍລະນີ | TO-205AF Metal Can |
ສະຖານະຫຼັກຊັບ: ຈັດສົ່ງໃນມື້ດຽວກັນ
ຕໍາ່ສຸດທີ່: 1
| ປະລິມານ | ລາຄາຕໍ່ຫນ່ວຍ | ຕໍ່. ລາຄາ |
|---|---|---|
ລາຄາບໍ່ສາມາດໃຊ້ໄດ້, ກະລຸນາ RFQ |
||
ການຄິດໄລ່ຄ່າຂົນສົ່ງ
US $40 ໂດຍ FedEx.
ມາຮອດພາຍໃນ 3-5 ມື້
ດ່ວນ: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) ການຂົນສົ່ງຟຣີໃນຄັ້ງທໍາອິດ 0.5kg ສໍາລັບຄໍາສັ່ງຫຼາຍກວ່າ 150$, ນ້ໍາຫນັກເກີນຈະຖືກຄິດຄ່າທໍານຽມແຍກຕ່າງຫາກ
ເພີ່ມໃສ່ກະຕ່າແລ້ວ!
ລາຍການນີ້ໄດ້ຖືກເພີ່ມໃສ່ກະຕ່າຂອງທ່ານ.